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STW75N65DM6-4
N沟道,电流:75A,耐压:650V
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- 描述
- N沟道650 V、33 mOhm典型值、75 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO247-4封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW75N65DM6-4
- 商品编号
- C3281097
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 480W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对小封装下的低栅极电荷、低漏源导通电阻（RDS(ON)）、快速开关速度和极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）进行了优化。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 22 mΩ
- 42 A、30 V。栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 16 mΩ
- 低栅极电荷（典型值22 nC）
- 快速开关
- 高性能沟槽技术实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动器