PMV28ENER
N沟道,电流:4.4A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV28ENER
- 商品编号
- C3280954
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 266pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
这些高压器件是采用SuperMESH™技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET，该技术是对成熟的PowerMESH™技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还专为在最严苛的应用中确保高水平的dv/dt能力而设计。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >1.5 kV HBM(H1C类)
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路