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FQH140N10实物图
  • FQH140N10商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQH140N10

N沟道,电流:140A,耐压:100V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQH140N10
商品编号
C3280974
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)285nC@10V
输入电容(Ciss)7.9nF
反向传输电容(Crss)550pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.6nF

商品概述

IRFP140R、IRFP141R、IRFP142R 和 IRFP143R 是先进的功率 MOSFET,经过设计、测试并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。这些是 n 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管,适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

  • 140A、100V,VGS = 10V时,RDS(ON) = 0.01Ω
  • 低栅极电荷(典型值220nC)
  • 低Crss(典型值470pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 最高结温额定值175°C

应用领域

  • 音频放大器
  • 高效开关式DC/DC转换器
  • 直流电机控制

数据手册PDF