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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RFG50N06LE

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
RFG50N06LE
商品编号
C3281001
商品封装
TO-247​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@5V
耗散功率(Pd)142W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)120nC@10V
输入电容(Ciss)2.1nF
反向传输电容(Crss)230pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)600pF

商品概述

TPIC1301是一款单片式栅极保护功率DMOS阵列,由六个电隔离的N沟道增强型DMOS晶体管组成,配置为三个半H桥。每个晶体管都集成了大电流齐纳二极管(ZCXa和ZCXb),以防止在出现过应力情况时栅极受损。使用100 pF电容器与1.5 kΩ电阻器串联的人体模型进行测试时,这些齐纳二极管还能提供高达4000 V的静电放电(ESD)保护。 TPIC1301采用24引脚宽体表面贴装(DW)封装,其工作温度范围为-40°C至125°C。

商品特性

  • 50A,60V
  • rDS(ON) = 0.022 Ω
  • 2kV静电放电(ESD)保护
  • 温度补偿PSPICETM模型
  • 峰值电流与脉冲宽度曲线
  • 非钳位感性开关(UIS)额定曲线
  • 175°C工作温度

应用领域

-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器

数据手册PDF