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STWA67N60M6
N沟道,电流:52A,耐压:600V
- 描述
- N 沟道 600 V、45 mOhm（典型值）、52 A MDmesh M6 功率 MOSFET，采用 TO-247 长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STWA67N60M6
- 商品编号
- C3281009
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管的反向恢复时间极短，存储电荷极少。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 49A，55V
- 超低导通电阻，rDS(ON) = 0.024 Ω
- 具备温度补偿功能的PSPICE和SABER模型
- 热阻PSPICE和SABER模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理