SCTWA35N65G2VAG
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- 描述
- 采用 HiP247 长引线封装的汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C）
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTWA35N65G2VAG
- 商品编号
- C3281012
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | - |