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IXFH90N65X3
N沟道增强型MOSFET,电流:90A,耐压:650V
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFH90N65X3
- 商品编号
- C3281013
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 960W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.2V@4mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 11.8 A、200 V，栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 5.9 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 150 mΩ（最大值）
- 低栅极电荷（典型值31 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值30 pF）
- 100%经过雪崩测试
- TO - 220F封装
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器