IXTH60N20X4
N沟道增强模式MOSFET,电流:60A,耐压:200V
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH60N20X4
- 商品编号
- C3281016
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 406pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 175°C工作温度
- 高电流处理能力
- 雪崩额定
- 快速本征整流器
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-直流-直流转换器和离线式UPS-初级侧开关-高电流开关应用