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IXTH6N50D2实物图
  • IXTH6N50D2商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTH6N50D2

1个N沟道 耐压:500V 电流:6A

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTH6N50D2
商品编号
C3281034
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))500mΩ@0V,3A
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)48nC@5V
输入电容(Ciss)2.8nF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻,从而带来卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量,其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

  • 75A、55V
  • 仿真模型
  • 温度补偿PSPICE和SABER模型
  • 可在网上获取SPICE和SABER热阻抗模型
  • 峰值电流与脉冲宽度曲线
  • UIS额定曲线

应用领域

  • 开关稳压器
  • 开关转换器
  • 电机驱动器
  • 继电器驱动器
  • 低压总线开关
  • 便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF