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NVHL110N65S3HF
N沟道, 30A, 650V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVHL110N65S3HF
- 商品编号
- C3281055
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@0.74mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.753nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MDmesh™ 是一种全新的革命性 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高 dv/dt 以及优异的雪崩特性。采用专有条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞争产品。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 0.050 Ω
- 高 dv/dt 和雪崩能力
- 增强的 ESD 能力
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 严格的工艺控制
- 业界最低的导通电阻
应用领域
MDmesh™ 系列非常适合提高高压转换器的功率密度，可实现系统小型化并提高效率。