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STW70N65DM6
1个N沟道 耐压:650V 电流:68A
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- 描述
- N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW70N65DM6
- 商品编号
- C3281074
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻 (RDS(on)) 更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过 100% 雪崩测试
- 具有极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用