APT30M36B2FLLG
1个N沟道 耐压:300V 电流:84A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT30M36B2FLLG
- 商品编号
- C3281093
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 700W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.47uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.55nF |
商品特性
- 硅芯片置于直接覆铜陶瓷基板（DCB）上
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 雪崩额定
- 快速本征整流器
- 低RDS(ON)和QG
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- DC斩波器
- 交流和直流电机控制