APT40M70LVRG
1个N沟道 耐压:400V 电流:57A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT40M70LVRG
- 商品编号
- C3281715
- 商品封装
- TO-264(L)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 93A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 700W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@5.0mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 495nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.16nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.36nF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计使得它能像其他SOT或SOIC封装一样便于自动拾放，此外，由于散热片采用了加大的接片，还具有改善热性能的优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25 W。
商品特性
- 表面贴装，提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 快速开关
- 易于并联