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STY60NM60
1个N沟道 耐压:600V 电流:60A
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- 描述
- MDmesh™是一种全新的革命性MOSFET技术，它将多漏极工艺与该公司的PowerMESH™水平布局相结合。由此生产的产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt以及出色的雪崩特性。采用该公司专有的条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STY60NM60
- 商品编号
- C3281079
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 560W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 266nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
全新 MDmesh™ M6 技术融合了对知名且成熟的 SJ MOSFET MDmesh 系列的最新改进。 意法半导体（STMicroelectronics）凭借其全新 M6 技术，在 MDmesh 上一代器件的基础上进行了升级。该技术不仅显著改善了单位面积的 RDS(on)，还具备出色的开关性能，为用户带来便捷体验，实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，单位面积的 RDS(on) 更低
- 栅极输入电阻低
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源引脚，实现出色的开关性能
应用领域
- 开关应用-LLC 转换器-升压 PFC 转换器