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STY60NM60
1个N沟道 耐压:600V 电流:60A
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- 描述
- MDmesh™是一种全新的革命性MOSFET技术，它将多漏极工艺与该公司的PowerMESH™水平布局相结合。由此生产的产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt以及出色的雪崩特性。采用该公司专有的条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STY60NM60
- 商品编号
- C3281079
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 560W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 266nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |