STY60NM60
1个N沟道 耐压:600V 电流:60A
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- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STY60NM60商品编号
C3281079商品封装
TO-247-3包装方式
管装
商品毛重
6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@30A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 560W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 266nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 7.3nF@25V | |
| 工作温度 | - |
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