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NVH082N65S3F
N沟道,电流:40A,耐压:650V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVH082N65S3F
- 商品编号
- C3281070
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.41nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电力系统。 SUPERFET III HF版本具备快速恢复功能，可提高高速开关应用的效率。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型RDS(on) = 70 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Q_g = 78 nC）
- 低有效输出电容（典型C_oss(eff.) = 678 pF）
- 100%雪崩测试
- NVHL前缀适用于汽车及其他有独特产地和变更控制要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 汽车混合动力电动汽车（HEV）-电动汽车（EV）车载充电器
- 汽车HEV - EV用DC/DC转换器