NVHL082N65S3HF
N沟道,电流:40A,耐压:650V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVHL082N65S3HF
- 商品编号
- C3281057
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.627nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于功率要求较高而无法使用 TO - 220AB 器件的商业 - 工业应用，首选 TO - 247AC 封装。TO - 247AC 与早期的 TO - 218 封装类似，但由于其有绝缘安装孔，性能更优。它还能提供更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 70 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 78 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 678 pF)
- 100%雪崩测试
- NVHL前缀适用于汽车及其他有独特产地和变更控制要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 汽车混合动力电动汽车(HEV)-电动汽车(EV)车载充电器
- 汽车HEV - EV用DC/DC转换器