SCTW35N65G2VAG
SCTW35N65G2VAG
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描述
采用 HiP247 封装的汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C）
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
SCTW35N65G2VAG商品编号
C3281062商品封装
TO-247-3包装方式
管装
商品毛重
8.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| Vds-漏源击穿电压 | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| Id-漏极电流(25℃) | 45A | |
| Pd-功耗 | 240W |
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