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SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET
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- 描述
- 采用 HiP247 封装的汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C）
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTW35N65G2VAG
- 商品编号
- C3281062
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ |
商品概述
汽车级碳化硅功率MOSFET，650V，45A，55mΩ（典型值，T_J=25℃），采用HiP247封装。这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发。该器件具有每单位面积极低的导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 极快且坚固的本征体二极管
- 低电容
应用领域
- 开关模式电源
- 电动汽车充电器
- DC-DC转换器