IXFX32N80Q3
1个N沟道 耐压:800V 电流:32A
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFX32N80Q3
- 商品编号
- C3281067
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关。
商品特性
- 低本征栅极电阻
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 低RDS(ON)和 QG
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- 温度和照明控制