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IXTH1N200P3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTH1N200P3

1个N沟道 耐压:2000V 电流:1A

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTH1N200P3
商品编号
C3281020
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.666667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)2kV
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))40Ω
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23.5nC@10V
输入电容(Ciss)646pF@25V
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

商品概述

全新的MDmesh M6技术整合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。它将出色的单位面积导通电阻(RDS(on))改善与高效的开关性能相结合,同时为用户带来便捷体验,以实现终端应用的最高效率。

商品特性

  • 降低开关损耗
  • 与上一代产品相比,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
  • 栅极输入电阻低
  • 100%经过雪崩测试
  • 齐纳保护

应用领域

  • 开关应用
  • LLC转换器
  • 升压PFC转换器

数据手册PDF