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IXTH1N200P3
1个N沟道 耐压:2000V 电流:1A
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH1N200P3
- 商品编号
- C3281020
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 646pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
全新的MDmesh M6技术整合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。它将出色的单位面积导通电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 高阻断电压
- 高压封装
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高压电源
- 电容放电应用
- 脉冲电路
- 激光和X射线发生系统