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STW50N65DM6
1个N沟道 耐压:650V 电流:33A
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- 描述
- 采用 TO-247 封装的 N 沟道 650 V、74 mOhm（典型值）、33 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW50N65DM6
- 商品编号
- C3281011
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 91mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比,DM6结合了极低的恢复电荷 (Qrr) 、恢复时间 (trr) ,以及每单位面积RDS(ON)的显著改善,具备市场上针对最严苛的高效桥拓扑和ZVS移相转换器最有效的开关特性之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比,每单位面积的RDS(ON)更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用