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STWA75N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:72A
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- 描述
- N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STWA75N60M6
- 商品编号
- C3281010
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 14.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品特性
- 国际标准封装JEDEC TO-247 AD
- 低导通电阻（RDS(on)）的HDMOSTM工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非钳位电感开关（UIS）额定值
- 低封装电感（<5 nH）
- 易于驱动和保护
应用领域
- 高端开关
- 推挽放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备