温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SCTWA35N65G2V
碳化硅功率MOSFET 650V，55mΩ典型值，45A 停产
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 碳化硅功率 MOSFET 650 V、55 mOhm（典型值）、45 A，采用 HiP247 长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTWA35N65G2V
- 商品编号
- C3281008
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ |
商品概述
该碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发，具有每单位面积极低的导通电阻和非常好的开关性能，开关损耗的变化几乎与结温无关。该器件规格为650V、典型值55mΩ、45A，采用HiP247长引线封装。
商品特性
- 极快且坚固的本征体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 极高的工作结温能力（T_J=200℃）
应用领域
- 开关模式电源
- DC-DC转换器
- 工业电机控制