RFG30P05
P沟道增强型MOSFET,电流:30A,耐压:50V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFG30P05
- 商品编号
- C3280983
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- -30A, -50V
- rDS(导通) = 0.065Ω
- 非钳位感性负载(UIS)安全工作区(SOA)额定曲线(单脉冲)
- SOA受功耗限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 工作温度175°C