IRFP141
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品概述
800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。 全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲电磁干扰（EMI）性能的前提下，可降低开关损耗和管壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了静电放电（ESD）能力。 这一全新的800 V SUPERFET III MOSFET系列，由于其在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频设备、照明、ATX电源和工业电源等）中表现卓越，能够实现更高效、更紧凑、更低温且更可靠的应用。
商品特性
- 典型RDS(on) = 550 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 15.5 nC）
- 输出电容中的存储能量低（400 V时Eoss = 1.74 μJ）
- 100%雪崩测试
- 齐纳二极管提高ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器/充电器-LED照明-辅助电源-音频设备-工业电源