FDH50N50
N沟道,电流:48A,耐压:500V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDH50N50
- 商品编号
- C3280990
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
RFG30P05和RFP30P05 P沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能充分利用硅材料，从而实现出色的性能。它们适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等应用。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 48A、500V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.105Ω
- 低栅极电荷(典型值105nC)
- 低Crss(典型值45pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力