R6576ENZ4C13
1个N沟道 耐压:650V 电流:76A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6576ENZ4C13
- 商品编号
- C3280980
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V,44.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 735W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽式MOSFET技术
- 低阈值电压
- 增强的功率耗散能力，达940 mW
- 静电放电（ESD）保护 >2KV HBM
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- LED驱动器-电源管理-低端负载开关-开关电路