R6530KNZ4C13
1个N沟道 耐压:650V 电流:30A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6530KNZ4C13
- 商品编号
- C3281173
- 商品封装
- TO-247G
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,14.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 305W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款新型低电荷功率MOSFET与传统MOSFET相比，显著降低了栅极电荷。该器件采用先进的MOSFET技术，降低了栅极驱动要求，提高了开关速度，并节省了系统总成本。这些改进结合MOSFET久经考验的耐用性和可靠性，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准。 对于功率要求较高而无法使用TO - 220AB器件的商业和工业应用，建议选用TO - 247AC封装。TO - 247AC与早期的TO - 218封装类似，但由于其安装孔具有绝缘特性，性能更优。
商品特性
~~- 超低栅极电荷-降低栅极驱动要求-增强30 V VGS额定值-降低Ciss、Coss、Crss-中央安装孔绝缘-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-符合RoHS指令2002/95/EC