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BSH205G2AR
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.6A
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- 描述
- P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSH205G2AR
- 商品编号
- C3280958
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 118mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 421pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低阈值电压
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 沟槽MOSFET技术
- 极快速开关
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路