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NXV90EPR
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.5A
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- 描述
- 采用沟槽式MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NXV90EPR
- 商品编号
- C3280961
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 252pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 39pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、小尺寸SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
-逻辑电平兼容-开关速度极快-沟槽MOSFET技术
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路