温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV65UNEAR
20V, N沟道, 增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV65UNEAR
- 商品编号
- C3280955
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 291pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽式MOSFET技术
- 低阈值电压
- 增强的功率耗散能力,达940 mW
- 静电放电(ESD)保护 >2KV HBM
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-LED驱动器-电源管理-低端负载开关-开关电路