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PMV35EPER
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
- 描述
- P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV35EPER
- 商品编号
- C3280956
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 793pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |