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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFF9130

1个N沟道 耐压:100V 电流:6.5A

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
IRFF9130
商品编号
C3280361
商品封装
TO-205AF(TO-39)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V,3A
属性参数值
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)500pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

全新MDmesh™ M6技术融合了最新的技术成果,应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。 意法半导体(STMicroelectronics)通过其全新的M6技术,在MDmesh上一代产品的基础上进行了改进。该技术不仅显著提升了单位面积的导通状态漏源电阻(RDS(on)),还具备出色的开关性能,为用户带来便捷体验,实现终端应用的最高效率。

商品特性

  • 降低开关损耗
  • 与上一代产品相比,单位面积的导通状态漏源电阻(RDS(on))更低
  • 栅极输入电阻低
  • 100%经过雪崩测试
  • 具备齐纳保护

应用领域

  • 开关应用
  • LLC转换器
  • 升压PFC转换器

数据手册PDF