温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFF9222

P沟道,电流:-2.0A,耐压:-200V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: IRFF9222
商品编号: C3280362
商品封装: TO-205AF(TO-39)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IRFF9220、IRFF9221、IRFF9222 和 IRFF9223 是先进的功率 MOSFET,经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。这些是 P 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管,适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。 IRFF 系列采用 JEDEC TO - 205AF(薄型 TO - 39)金属封装。

商品特性

-2A 和 -2.5A,-150V 和 -200V
rDS(ON) = 1.50Ω 和 2.40Ω
单脉冲雪崩能量额定
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	2A
	导通电阻(RDS(on))	2.4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	20W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	22nC@10V
	输入电容(Ciss)	350pF
	反向传输电容(Crss)	30pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	100pF