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RFP15N08L

N沟道,电流:15A,耐压:80V

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: RFP15N08L
商品编号: C3280384
商品封装: TO-220
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于诸如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器，以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

15A,80V
漏源导通电阻(RDS(ON)):0.14Ω
针对 5 伏栅极驱动进行优化设计
可直接由 Q-MOS、N-MOS、TTL 电路驱动
安全工作区受功率耗散限制
额定结温为 +175°C
逻辑电平栅极
高输入阻抗

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	140mΩ@5V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	45nC@5V
	工作温度	-
	类型	N沟道