HUF75309P3
1个N沟道 耐压:55V 电流:19A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HUF75309P3
- 商品编号
- C3280582
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件采用了全新的先进沟槽MOSFET技术，在保持低导通电阻的同时，具有低栅极电荷的特点。 该器件针对开关应用进行了优化，提高了DC/DC转换器的整体效率，并允许在更高的开关频率下工作。
商品特性
- 19A,55V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER模型
- 可从网络获取SPICE和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- TB334,“表面贴装元件焊接到印刷电路板的指南”
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理