RF1S9640
P沟道,电流:9A,耐压:200V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RF1S9640
- 商品编号
- C3280675
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 375pF |
商品概述
RFP50N05和RFG50N05 n沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来出色的性能。它们适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等应用。
商品特性
- -9A 和 -11A,-150V 和 -200V
- rDS(ON) = 0.5Ω 和 0.7Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗