IRF830BPBF
N沟道MOSFET,电流:3.4A,耐压:500V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF830BPBF
- 商品编号
- C3280680
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
IRF9520、IRF9521、IRF9522和IRF9523是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。这些是P沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
-优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关
应用领域
-消费电子-显示器(LCD 或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源(SMPS)-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器