AUIRF2907Z
汽车级,电流:170A,耐压:75V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF2907Z
- 商品编号
- C3280696
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 270nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 510pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 970pF |
商品概述
这些是 P 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。所有型号均为先进的功率 MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩模式下承受特定水平的能量。这些功率 MOSFET 均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及其他高功率开关器件驱动器等应用。高输入阻抗使这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- -9A 和 -11A，-150V 和 -200V
- rDS(ON) = 0.5Ω 和 0.7Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗