IRFBC20PBF-BE3
N沟道,电流:2.2A,耐压:600V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBC20PBF-BE3
- 商品编号
- C3280727
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
该HEXFET®功率MOSFET的蜂窝式设计专为汽车应用而打造，采用了最新的加工技术，以实现每单位硅片面积较低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和耐用的器件设计，这一优势为设计师提供了一款极其高效且可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单