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SUP70030E-GE3
N沟道,电流:150A,耐压:100V
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 最高175℃结温，符合RoHS标准。 降低Qg(d)，减少导通时的功率损耗。 100% Rg和UIS测试。应用：电源。 二次同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUP70030E-GE3
- 商品编号
- C3280790
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.84mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 214nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.87nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 快速开关与软恢复
- 无卤。“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）
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