SIHP15N80AE-GE3
N沟道,电流:8A,耐压:800V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP15N80AE-GE3
- 商品编号
- C3280751
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.093nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
该器件采用了先进的新型沟槽 MOSFET 技术，在保持低导通电阻的同时，具备低栅极电荷的特性。 该器件针对开关应用进行了优化，可提高 DC/DC 转换器的整体效率，并支持更高的开关频率运行。
商品特性
- 快速开关
- rDS(ON) = 0.0052 Ω（典型值），VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.0085 Ω（典型值），VGS = 4.5 V
- Qg（典型值）= 30 nC，VGS = 5 V
- Qgd（典型值）= 11 nC
- CISS（典型值）= 3400 pF
应用领域
- DC/DC 转换器