AUIRFZ34N
N沟道,电流:29A,耐压:55V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRFZ34N
- 商品编号
- C3280753
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET的条形平面设计采用了最新的工艺技术，在单位硅片面积上实现了极低的导通电阻。该HEXFET功率MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 动态dV/dT额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证*
应用领域
- 工业电机驱动