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IRL8113PBF-IR
1个N沟道 耐压:30V 电流:105A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL8113PBF-IR
- 商品编号
- C3280756
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 最高结温175°C
- 低导通电阻RDS(on)，可最大程度降低传导功率损耗
- 与逻辑电平栅极驱动兼容
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电池保护-电机驱动控制-负载开关