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IRFZ48RPBF

N沟道 MOSFET,电流:50A,耐压:60V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFZ48RPBF
商品编号: C3280735
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

这款新型低电荷功率MOSFET系列相较于传统功率MOSFET，显著降低了栅极电荷。采用新型LCDMOS技术，在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升，降低了栅极驱动要求，节省了系统总成本。此外，在各种高频应用中，该系列器件可降低开关损耗，提高效率。使用这款新型低电荷功率MOSFET，在大电流下实现几MHz的频率是可行的。

这些器件性能的提升，结合功率MOSFET固有的耐用性和可靠性，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准。

商品特性

超低栅极电荷
降低栅极驱动要求
增强30 V的VGS额定值
降低Ciss、Coss、Crss
极高频操作
重复雪崩额定

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	50A
	导通电阻(RDS(on))	18mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	190W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	110nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.4nF
	反向传输电容(Crss)	190pF@25V
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道