温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SUP60061EL-GE3
1个P沟道 耐压:80V 电流:150A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：具有低热阻的TrenchFET功率MOSFET封装。最高结温175℃。低导通电阻RDS(on)，可降低传导功率损耗。与逻辑电平栅极驱动兼容。100%进行Rg和UIs测试。应用：电池保护。电机驱动控制
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUP60061EL-GE3
- 商品编号
- C3280736
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 218nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.6nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.3nF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单