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SUP60061EL-GE3
1个P沟道 耐压:80V 电流:150A
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- 描述
- 特性：具有低热阻的TrenchFET功率MOSFET封装。最高结温175℃。低导通电阻RDS(on)，可降低传导功率损耗。与逻辑电平栅极驱动兼容。100%进行Rg和UIs测试。应用：电池保护。电机驱动控制
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUP60061EL-GE3
- 商品编号
- C3280736
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 218nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.3nF |
商品概述
该器件采用了先进的新型沟槽MOSFET技术，在保持低导通电阻的同时，具备低栅极电荷的特性。该器件针对开关应用进行了优化，可提高DC/DC转换器的整体效率，并支持更高的开关频率运行。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 最高结温175°C
- 低导通电阻RDS(on),可最大程度降低传导功率损耗
- 与逻辑电平栅极驱动兼容
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-电池保护-电机驱动控制-负载开关