IRF820APBF-BE3
N沟道 MOSFET,电流:2.5A,耐压:500V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF820APBF-BE3
- 商品编号
- C3280699
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
RM130N100T2采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 130A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5.4 mΩ
- 栅极电荷 × 漏源导通电阻（RDS(on)）乘积优异
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行非钳位感性负载开关（UIS）测试
应用领域
- 直流-直流转换器
- 适用于高频开关和同步整流
- 无卤