IRLZ14PBF-BE3
N沟道 MOSFET,电流:7.2A,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLZ14PBF-BE3
- 商品编号
- C3280691
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@5.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新型低电荷功率MOSFET系列相较于传统MOSFET，显著降低了栅极电荷。采用新型LCDMOS技术，在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升，降低了栅极驱动要求，节省了系统总成本。此外，在各种高频应用中，可实现更低的开关损耗和更高的效率。使用这款新型低电荷MOSFET，在大电流下实现几MHz的频率是可行的。 这些器件性能的提升，结合功率MOSFET已被证实的耐用性和可靠性，为开关应用领域的功率晶体管树立了新的标准。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 降低栅极驱动要求
- 增强30 V VGS额定值
- 降低Ciss、Coss、Crss
- 极高频率操作
- 重复雪崩额定