IRF740LCPBF-BE3
1个N沟道 耐压:400V 电流:10A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF740LCPBF-BE3
- 商品编号
- C3280683
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款新型低电荷功率MOSFET系列相较于传统MOSFET,显著降低了栅极电荷。采用新型LCDMOS技术,在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升,降低了栅极驱动要求,节省了系统总成本。此外,在各种高频应用中,可实现更低的开关损耗和更高的效率。使用这款新型低电荷MOSFET,在大电流下实现几MHz的频率是可行的。 这些器件性能的提升,结合功率MOSFET已被证实的耐用性和可靠性,为开关应用领域的功率晶体管树立了新的标准。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 降低栅极驱动要求
- 增强30 V VGS额定值
- 降低Ciss、Coss、Crss
- 极高频率操作
- 重复雪崩额定
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 可再生能源