RFP50N06_F102
50A,60V N沟道 Power MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFP50N06_F102
- 商品编号
- C3280584
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 131W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用TO220F (SOT186A)封装的标准电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。该产品经设计和认证，适用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
- 低开关和传导损耗，效率高
- 封装绝缘
- 适合标准电平栅极驱动
应用领域
- 交直流电源设备-服务器电源-电机控制-同步整流