FQP19N20L
N沟道,电流:21A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP19N20L
- 商品编号
- C3280606
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态的电池供电电路。
商品特性
- 15A、60V。在VGS = 10V时，RDS(ON) = 0.10Ω。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 最高结温额定值为175°C。
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 提供TO - 220和TO - 263 (D²PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。